存储器集成电路是数字系统中用于存储程序和数据的核心部件，按其特性可分为易失性存储器和非易失性存储器两大类。易失性存储器以DRAM和SRAM为代表，其中DRAM利用电容存储电荷来记忆数据，具有高密度、低成本的特点，主要用作计算机的主存储器；SRAM基于触发器结构，访问速度快但密度较低，常用作高速缓存。非易失性存储器包括ROM、FLASH、EEPROM等，能够在断电后保持数据，其中NAND Flash凭借高密度、低成本的优势，在固态硬盘、移动存储等领域获得广泛应用。近年来，新型存储器技术如相变存储器（PCM）、磁阻存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM）等不断发展，这些技术兼具高速、高耐用性和非易失性的特点，有望在未来存储体系中发挥重要作用。随着人工智能、大数据等应用对存储性能要求的不断提高，存储器技术正朝着更高密度、更快速度、更低功耗的方向发展，3D NAND、存算一体等创新架构正在推动存储器技术的又一次革命。